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　　CVD石墨烯制備研制出來的石墨烯是一種非常特殊的材料，因為它具有導電和透明的優(yōu)點。材料的透明度通常取決于它的電子性能，需要一個帶隙。在正常情況下，透明度和電導率相互排斥，除了一些化合物。在表面上生長的石墨烯可以使石墨烯層的大小達到或多或少的無限大小并且具有很高的可控性，這使得這些方法可以用于工業(yè)生產(chǎn)。然而，純度并不是很高，這使得這些方法不適用于石墨烯的實驗室研究。

 

　　PECVD化學氣相沉積多通道質(zhì)量流量控制系統(tǒng)一款多路質(zhì)量流量計控制系統(tǒng)，其質(zhì)量流量計和不銹鋼混氣罐都安裝在一個移動柜里，移動柜Z大可以承重1000Lbs，所以在與本公司大多數(shù)管式爐配套使用時，可將設備置于移動柜上以節(jié)約空間。

　　CVD石墨烯制備使用注意事項

 

　　石墨烯制備設備雙溫區(qū)滑軌式CVD系統(tǒng)爐管內(nèi)氣壓不可高于0.02MPa

 

　　·當爐體溫度高于1000℃時，爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài)，爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態(tài)進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊

 

　　·石英管的長時間使用溫度＜1100℃

 

　　·對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數(shù)，若氣壓表示數(shù)大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發(fā)生（如爐管破裂，法蘭飛出等）

 

　　CVD石墨烯制備方法主要有四種：微機械剝離法、SiC外延生長法、化學氣相沉積法（CVD）、氧化還原法。CVD石墨烯的制備方法簡單易行，所得石墨烯的質(zhì)量高，可實現(xiàn)大面積生長，而且易于轉(zhuǎn)移到各種基底上使用，因此該方法廣泛用于石墨烯透明導電膜，以成為制備高質(zhì)量石墨烯的主要方法。